Для цитирования:
Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Кукушкин С.А., Султанов А.Т., Кейiнбай С., Шыныбаев Д.С., Кусайнова А.Ж. ФОРМИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ СОГЛАСОВАННОГО ЗАМЕЩЕНИЯ АТОМОВ. Вестник Казахстанско-Британского технического университета. 2023;20(2):27-35. https://doi.org/10.55452/1998-6688-2023-20-2-27-35
For citation:
Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Kukushkin S.A., Sultanov A.T., Keiinbay S., Shynybayev D.S., Kusainova A.Zh. FORMATION OF CRYSTALLINE SiC IN NEAR-SURFACE SILICON LAYERS BY METHOD OF COORDINATED SUBSTITUTION OF ATOMS. Herald of the Kazakh-British technical university. 2023;20(2):27-35. https://doi.org/10.55452/1998-6688-2023-20-2-27-35
Послать статью по эл. почте 