ВИСМУТ СЕЛЕНИДІ ЕКІ ӨЛШЕМДІ АТОМДЫ КРИСТАЛЫНЫҢ НАНОҚҰРЫЛЫМЫН МЕҢГЕРМЕЛІ ӨСІРУ

Мақалада висмут селенидін даярлаудың біраз заманауи әдістерін пайдалану арқылы оның наносызықты, наножолақты құрылымдарын өсіру әдістеріне әдебиеттік шолу жасалды. Жоғары сапалы висмут селенидінің (Bi₂Se₃) екі өлшемді кристалын өсірудің жаңа әдісі ұсынылды. «Газ-қатты» фаза өсіру механизміне сәйкес мыс торын слюда бетіне қаптау әдісі бойынша висмут селенидінің екі өлшемді атомды кристалының наноқұрылымдары (ұзындығы 8 μм, қалыңдығы 5 нм болатын) 490⁰ температурада, уақыты 40 мин, газ ағу жылдамдығы 30 см³/c ÷ 80см³/c-ке дейін өзгертіліп отыратын жағдайда меңгермелі өсірілді.

Алынған үлгілер атомдық күштік микроскоп (Bruker Atomic Force Microscope (AFM), АҚШ), сканерлеуші электронды микроскоп (SEM, Hitachi S-4800, Жапония), Раман спектрометрі (HORIBA LabRAM HR800, АҚШ), UV-VIS және сәуле түсіру электронды микроскоп (TEM) сияқты заманауи қондырғыларда алынған мәліметтер негізінде сипатталды.

Наноқұрылымдардың жасалу сапасына, өсу формасына және қалыңдығына температура мен газ ағу жылдамдығының әсерлері зерттелді. Алынған екі өлшемді атомдық кристалдар ішінде тор формалы үлгінің сәуле өтімділігі басқалардан жоғары екендігі анықталды.

1. Zhang Y., He K., Chang C. Z. Crossover of three-dimensional topological insulator of Bi₂Se₃ to the two-dimensional limit // From arXiv.org, e-Print Archive, Condensed Matter. - 2009, 1-17, arXiv : 0911. 3706 v 1.

2. Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V. Electric field effect in atomically thin carbon films // Science. - 2004. -V. 306. - № 5696. - P. 666-669.

3. Teweldebrhan D., Goyal V., Balandin A. A. Exfoliation and characterization of bismuth telluride atomic quintuples and quasi-two-dimensional crystals // Nano Letters. - 2010. - V. 10. - № 4 - P. 1209­-1218.

4. Xiong Q. H. Raman spectroscopy of few-quintuple layer topological insulator Bi₂Se₃ Nanoplatelets // Nano. Lett. - 2011. - V. 11 - № 6. - P. 2407-2414.

5. Kong D. S., Dang W. H., Cha J. J. Few-layer nanoplates of Bi₂Se₃ and Bi₂Te₃ with highly tunable chemical potential // Nano Letters. - 2010. - V. 10. - P. 2245-2250.

6. Cha J. J., Williams J. R., Kong D. S. Magnetic doping and Kondo effect in Bi₂Se₃ Nanoribbons // Nano L etters - 2010 - V. 10 - № 3. - P. 1076-1081.

7. Dumont J., Wiame F., Ghijsen J., Sporken R. Growth of atomically flat Ag on mica // Surface Science. - 2004. - V. 572 (2-3). - P. 459-466.

8. Higo M., Fujita K., Mitsushio M. Epitaxial growth and surface morphology of aluminium films deposited on mica studied by transmission electron microscopy and atomic force microscopy // Thin Solid Films.-2007.-V. 516. - № 1. - P. 17-24.

9. Kojima N. Structural characterization of Mg-doped C60 thin films // Journal of Physics: Conference Series. - 2009. - V. 159. - № 1. - P. 012018.

10. Stephens C. J., Mouhamad Y., Meldrum F. C. Epitaxy of calcite on mica // Crystal Growth & Design. - 2009. - V. 10. - № 2. - P. 734-738.

11. Yunfan Guo, Mahaya Aisijiang, Kai Zhang.Selective-Area Van der Waals Epitaxy of Topological Insulator Grid Nanostructures for Broadband Transparent Flexible Electrodes // Adv. Mate-2013. -V. 25.-P. 5959-5964.

12. Richter W., Becker C. R. A Raman and far-infrared investigation of phonons in the rhombohedral V₂-VI₃ compounds Bi₂Te₃, Bi₂Se₃, Sb₂Te₃ and Bi₂(Te_1-xSe_x)₃ (0< x <1) (Bi_1-y Sb_y)₂Te₃ (0 < y < 1) // Physica Status Solidi (B). - 1977. - V. 84. - № 2. - P. 619-628.