Preview

Қазақстан-Британ техникалық университетінің хабаршысы

Кеңейтілген іздеу

ПЛАЗМАЛЫҚ БЕТТІ ӨҢДЕУДІҢ ҚОРҒАСЫН СУЛЬФИДІНІҢ ПЛЕНКА ҚҰРЫЛЫМЫНА ӘСЕРІ

https://doi.org/10.55452/1998-6688-2024-21-1-123-129

Толық мәтін:

Аңдатпа

Бірегей қасиеттеріне байланысты қорғасын сульфиді (PbS) қазіргі уақытта әлемнің көптеген жетекші зертханаларында зерттелетін материал. Мұндай қасиеттерге құрылымдық модификация арқылы оптикалық және электронды қасиеттер жатады. Бұл жұмыста субстрат бетінің қорғасын сульфидінің құрылымдық пленкаларының түзілуіне әсері зерттеледі. Ол үшін монокристалды кремнийдің (100) беті аргон атмосферасында солғын  разрядта, 1 Па жұмыс қысымында және 2 кВ электродтардағы потенциалдар айырмасында плазмалық өңдеуден өтті. Қорғасын сульфидінің пленкалары 30 минут ішінде 70°C температурада қорғасын нитраты, тиомочевина және натрий гидроксидінің сулы ерітіндісінен химиялық тұндыру әдісімен монокристалды кремнийдің өңделген және өңделмеген беттеріне алынды. Сәйкесінше сканерлейтін электронды микроскопия, энергия диперсиялық талдау және рентгендік құрылымдық талдау әдістерімен беттік морфология, элементтік құрам және кристалдық құрылым зерттелді. Нәтижесінде, алдынала өңделген субстраттардағы алынған пленкалар өңделмеген субстраттарға тұндырылған пленкалармен салыстырғанда айқын беткі құрылымға ие. Бірдей синтез жағдайында өңделген беттегі кристалдардың өсуі, негізінен белгілі бір сызықтар бойымен жүрді және жеке бөлшектерге топтастырылды, ал өңделмеген бетте біртұтас пленка пайда болды. Осылайша, наноқұрылымдарды құру үшін плазмалық өңдеу арқылы кристалдардың өсуін бақылауға болады.

Авторлар туралы

Г. С. Әмірбекова
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Қазақстан

докторант

050040, Алматы қ.



Ж. К. Төлепов
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Қазақстан

PhD

050040, Алматы қ.



Н. Гусейнов
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Қазақстан

050040, Алматы қ.



М. А. Төлегенова
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Қазақстан

PhD

050040, Алматы қ.



Т. Қуанышбеков
С. Аманжолов атындағы Шығыс Қазақстан университетінің Ұжымдық қолданыстағы ұлттық ғылыми зертханасы
Қазақстан

PhD

070002, Өскемен қ.



Е. Арынбек
Біріккен ядролық зерттеулер институтының Нейтрондық физика зертханасы
Ресей

Дубна қ.



Әдебиет тізімі

1. Samofalova T.V., Ovechkina N.M., Lukin A.N., Semenov V.N. Structure and properties of lead sulfide films deposited from thiocarbamide coordination compounds, pp. 68–70.

2. Göde F., Ünlü S. Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, no. 90, 92.

3. Akhmedov O.R., Huseynaliev M.G., Abdullaev N.A., Abdullaev N.M., Babaev S.S., Kasumov N.A. Optical properties of PbS thin films, Physics and Technology of Semiconductors, 2016, vol. 50, issue 1, pp. 51–54.

4. Malyarevich A.M. et al. J. Non-Cryst. Sol., 2007, 353, 1195.

5. Rodríguez C.A., Mera A.C., Pizarro-Castillo L., Ashfaq M., Sandoval-Paz M.G., Burgos M.J.C., Suárez S. Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 131, 105839.

6. Gunes S. et al. Solar Energy Mater. Solar Cells, 2007, 91, 420.

7. Abe S., Mochizukt K., Masumoto K., Nippon Kinroku. J. Jpn., ˙Inst. Met., 56, 1479.

8. Akhmetov N.S. General and inorganic chemistry. Moscow, Higher School, 2001.

9. Weiss A.N., Suvorova N.A. The energy spectrum of oxygen-implanted lead selenide. Physics and Technology of semiconductors, vol. 33, issue 10, 1999, pp. 1179–1182.

10. Burungale V.V., Devan R.V., Pawar S.A., Harale N.S., Patil V.L., Rao V.K., Patil P.S., Mater Sci Pol., no. 34(1), 2016, p. 204.

11. Nekrasov B.V. Fundamentals of general chemistry in 2 volumes. Moscow, Higher School.

12. Lidin R.A. et al. Chemical properties of inorganic substances: Textbook for universities, Moscow, Chemistry, ISBN 5-7245-1163-0.

13. Snyder G. The Electrochemical Society, Interface, Fall, p. 54.

14. Fritts R. Cadoff I. , Miller E. (Eds.), Thermoelectric Materials and Devices, Reinhold Pub. Corp., New York, 1960, pp. 143–162 Google Scholar

15. Alekseeva G. et al. Semiconductors, 30, p. 1125, View in Scopus Fiz Tverd Tela, 23, p. 2888.

16. Weiss A.N., Leonova I.M. Investigation of defect formation processes in lead hole sulfide. Proceedings of St. Petersburg State Technical University, no. 507, 2008, pp. 222–228.

17. Dixon J.R., Riedl H.R. Optical dispersion of lead sulfide in infrared. Phys. Rev.

18. Chalapathi U., Park S.H., Choi W.J. Materials Science in Semiconductor Processing, no. 134, 2021, 106022.

19. Sanchez-Martinez A., Ceballos-Sanchez O., Guzman-Caballero D. E., Avila-Avendano J.A., PerezGarcia, Quevedo-Lopez M.A., Bon R.R. Ceramics International, no. 47(13), 2021, 18898.

20. Ahmed A.M., Rabia M., Shaban M. RSC Advances, no. 10(24), 2020, 14458.

21. Walter H., Cooper M. Illustrated Dictionary of Physics.

22. Zhdanov V. Plasma in space. Round the world. Accessed February 21, 2009. Archived on August 22, 2011.

23. Amirbekova G., Tolepov Zh., Guseinov N., Nemkaeva R., Kuanyshbekov T., Ramazanova A., Tlaubergenova D. Formation of PbS microstructured films by CBD method and study of structural properties, vol. 20, no. 12, December 2023, pp. 857–861, https://doi.org/10.15251/CL.2023.2012.857.

24. Blokhin M.A. Physics of X-rays, 2nd ed., Moscow.


Рецензия

Дәйектеу үшін:


Әмірбекова Г.С., Төлепов Ж.К., Гусейнов Н., Төлегенова М.А., Қуанышбеков Т., Арынбек Е. ПЛАЗМАЛЫҚ БЕТТІ ӨҢДЕУДІҢ ҚОРҒАСЫН СУЛЬФИДІНІҢ ПЛЕНКА ҚҰРЫЛЫМЫНА ӘСЕРІ. Қазақстан-Британ техникалық университетінің хабаршысы. 2024;21(1):123-129. https://doi.org/10.55452/1998-6688-2024-21-1-123-129

For citation:


Amirbekova G.S., Tolepov Zh.K., Guseinov N., Tulegenova M.A., Kuanyshbekov T., Arynbek Y. THE EFFECT OF PLASMA SURFACE TREATMENT ON THE STRUCTURE OF THE LEAD SULFIDE FILM. Herald of the Kazakh-British Technical University. 2024;21(1):123-129. https://doi.org/10.55452/1998-6688-2024-21-1-123-129

Қараулар: 414


ISSN 1998-6688 (Print)
ISSN 2959-8109 (Online)