Благодаря своим уникальным свойствам сульфид свинца (PbS) является материалом, который в настоящее время изучается во многих ведущих лабораториях мира. К таким свойствам можно отнести оптические и электронные свойства за счет структурных модификаций. В данной работе изучается влияние поверхности подложки на формирование структурированных пленок сульфида свинца. Для этого поверхность монокристаллического кремния (100) подвергалась плазменной обработке в тлеющем разряде в атмосфере аргона, при рабочем давлении 1 Па и разности потенциалов на электродах 2 кВ. Пленки сульфида свинца были получены на обработанные и необработанные поверхности монокристаллического кремния методом химического осаждения из водного раствора нитрата свинца, тиомочевины и гидрооксида натрия при температуре 70 °C в течение 30 минут. Были изучены морфология поверхности, элементный состав и кристаллическая структура методами сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного анализа и рентгеноструктурного анализа соответственно. В результате полученные пленки на предварительно обработанные подложки имеют явную отличительную поверхностную структуру по сравнению с пленками, осажденными на необработанные подложки. При одинаковых условиях синтеза рост кристаллов на обработанной поверхности происходил преимущественно вдоль определенных линий и сгруппированы в отдельные частицы, тогда как на необработанной поверхности формировалась сплошная пленка. Таким образом, путем плазменной обработки можно контролировать рост кристаллов для создания наноструктур.