ПЛАЗМАЛЫҚ ӨҢДЕУ ӘДІСІ БОЙЫНША ҚОРҒАСЫН СУЛЬФИДІ (PBS) НАНОБӨЛШЕКТЕРІНІҢ ӨЛШЕМДЕРІН БАСҚАРУ

Бұл жұмыста қорғасын сульфидінің (PbS) нанобөлшектерін қалыптастырудың оңтайлы параметрлері анықталды. Қорғасын сульфидінің нанобөлшектері қорғасын нитратының (Pb (NO3)2) 25 мл 0,18 М (1,520 г), натрий гидроксиді (NaOH) 75 мл 0,38 М (1,150 г), тиомочевина (CH4N2S) 50 мл 0,11 М (0,396 г) сулы ерітіндісінде, реакция температурасы 100°С, синтез реакциясының ұзақтығы 120 минут шамасында химиялық тұндыру арқылы алынды. Бөлшектер алдын ала тазартылған кремний (Si) төсенішіне қойылды. Синтезден кейін бөлшектер I =1,5 кВ кернеуде және I =1,5 мА тоқта, t₂ = 5 мин және t₂ = 5мин уақыт шамасында, t₁ =1Па қысымда аргон атмосферасында солғын разряд плазмасында өңделді. Алынған құрылымдардың морфологиясы сканерлеуші электронды микроскоптың (SEM) көмегімен зерттелді, ал бөлшектердің элементтік құрамы энергодисперсиялық талдау (EDX) арқылы анықталды. Плазмамен өңдеу бөлшектердің орташа өлшемін субмикроннан нанометрлік диапазонға дейін кішірейтеді.

1. El Madani A., Daoudi1 O., Benyousse S., Qachaou A., Fahoume M., Lharch M. (2021) Experimental and Ab Initio Investigation of the Physical Properties of PbS Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition (CBD), Brazilian Journal of Physics, no 51, pp. 1166–1174.

2. Gunes S., Fritz K.P., Neugebauer H., Sariciftci N.S., Kumar S., Scholes G.D. (2007) Hybrid solar cells using PbS nanoparticles. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 91, pp. 420–423.

3. Preetha K.C., Murali K.V., Regina A.J., Deepa K., Remadevi T.L. (2012) Efect of cationic precursor pH on optical and transport properties of silar deposited nanocrystalline PbS thin flms. Curr. Appl. Phys., no. 12, pp. 53–59.

4. Yu H., Liu S., Baek S., Kim D.Y., Dong C., So F. (2016) Solution-Processed Copper Oxide Interlayers for Broadband PbS Quantum- Dot Photodiodes., no. 4, pp. 11205−11211.

5. Patel M., Kim H.S., Kim J., Yun J.H., Kim S.J., Choi E.H., Park H.H. (2017) Excitonic Metal Oxide Heterojunction (NiO/ZnO) Solar Cells for All-Transparent Module Integration. Sol. Energy Mater. Sol.Cells, no. 170, pp. 246−253.

6. Barrios-Salgado E., Rodríguez-Lazcano Y., Pérez-Orozco J.P., Colin J., Altuzar P., Campos J., Quesada D. Effect of Deposition Time on the Optoelectronics Properties of PbS Thin Films Obtained by Microwave-Assisted Chemical Bath Deposition, Hindawi Advances in Condensed Matter Physics, vol. 2019, p. 8.

7. Chattarki A.N., Kamble S.S., Deshmukh L.P., Mater. Lett., 67(1), 39 (2012).

8. Akhmedov O.R., Huseynaliev M.G., Abdullaev N.A., Abdullaev N.M., Babaev S.S., Kasumov N.A. (2016) Optical properties of PbS thin films, Physics and Technology of Semiconductors, vol. 50, issue 1, pp. 51–54.

9. Gao F., Lu Q., Liu X., Yan Y., Zhao D. (2001) Controlled Synthesis of Semiconductor PbS Nanocrystals and Nanowires Inside Mesoporous Silica SBA-15 Phase, Nano Letters , vol. 1, no. 12, pp. 743–748.

10. Rodríguez C.A., Mera A.C., Pizarro-Castillo L., Ashfaq M., Sandoval-Paz M.G., Burgos M.J.C., Suárez S. (2021) Materials Science in Semiconductor Processing, no. 131, p. 105839.

11. Gunes S. et al. (2007) Solar Energy Mater. Solar Cells, 91, 420.

12. Abe S., Mochizukt K., Masumoto K., Nippon Kinroku. J. Jpn., ˙Inst. Met., 56, 1479.

13. Akhmetov N.S. (2001) General and Inorganic Chemistry. Higher. School, Ed. center Academy, Moscow, 743 p.

14. Liu Y.-C., Xiong Y., Lu D.-N. Appl. Surface Sci., 252, 8, 2960–2966, 2006

15. Yildirim A.K., Altiokka B. (2020) Emerg. Mater. Res., 9(1), 47.

16. Alekseeva G., et al., Semiconductors, 30 , p. 1125 View in Scopus Fiz Tverd Tela, 23 p. 2888

17. Crisp R.W., Kroupa D.M., Marshall A.R., Miller E.M., Zhang J., Beard M. C. Luther, J.M. Sci. Rep. 2015, 5, 9945.

18. Ekimov A., Efros A.L. and Onushchenko A. (2018) Solid state communications 88 947 5. Carroll G. M, Limpens R . and Neale N. R. Nano letters, 18 3118.

19. Huo N., Gupta, S., Konstantatos G. (2017) MoS2−HgTe Quantum Dot Hybrid Photodetectors beyond 2 μm. Adv. Mater., 29

20. Abdallah B., Hussein R., Al-Kafri N., Zetoun W. (2020) Iranian Journal of Science and Technology, vol. 6, issue 2, pp. 94–98.