В данном исследовании изучается влияние фосфосиликатного стекла (PSG), нанесенного методом центрифугирования, на кристаллизацию и электрические свойства тонких пленок кремния (Si), осажденных магнетронным распылением, с акцентом на оптимизацию их структурных и электрических свойств для потенциального применения в фотовольтаике и микроэлектронике. Результаты показывают, что более высокие скорости центрифугирования приводят к более тонким и однородным слоям PSG, что в свою очередь способствует более эффективной диффузии фосфора и улучшает кристаллизацию пленки. Отжиг при 950 °C привел к усилению активации легирующих примесей, улучшению кристалличности и снижению удельного сопротивления. Эти структурные и фазовые превращения были систематически проанализированы с помощью рентгеновской дифракции (XRD), что позволило получить подробное представление об эволюции тонких пленок Si в процессе термической обработки. В частности, результаты XRD показывают четкий переход от аморфного к поликристаллическому состоянию, особенно для образцов, обработанных при оптимизированных скоростях центрифугирования и повышенных температурах отжига. Оптическая характеристика дополнительно показала, что термический отжиг изменил спектры отражения и пропускания, а также незначительно увеличил показатель преломления и коэффициент поглощения напыленных кремниевых пленок. В целом, сочетание экологически чистого метода легирования с помощью центрифугирования с масштабируемыми методами физического осаждения представляет собой многообещающий подход к разработке передовых фотоэлектрических технологий, предлагая жизнеспособный путь к устойчивому и эффективному изготовлению устройств.