Кремний, один из самых распространенных и экономически эффективных материалов на Земле, имеет значительные перспективы для применения в расщеплении воды и фотоэлектричестве благодаря своей подходящей ширине запрещенной зоны приблизительно 1,12 эВ, что позволяет поглощать ультрафиолетовый, видимый и инфракрасный свет. Однако высокая отражательная способность (~25%) плоских кремниевых пластин ограничивает его эффективность преобразования, что делает его менее эффективным для фотоэлектрохимических (ПЭК) процессов. Наноструктурирование поверхности кремния позволяет улучшить коэффициент поглощения света, снижает его сопротивление и повышает эффективность производства водорода. В этом исследовании мы изготовили наноструктурированные кремниевые фотоэлектроды с использованием метода химического травления с использованием металла (MACE). Полученные черные кремниевые (b-Si) электроды продемонстрировали превосходные возможности по- глощения света, что привело к значительному повышению плотности фототока. Примечательно, что b-Si фотоэлектроды достигли плотности фототока 800 мкА/см² при 0 В против RHE по сравнению с 200 мкА/см² для плоского кремния. Кроме того, b-Si электроды продемонстрировали превосходную долговременную стабильность при непрерывном освещении в течение 16 часов. Эти результаты подчеркивают потенциал наноструктурированного кремния как эффективного и стабильного материала для расщепления воды с помощью солнечной энергии и связанных с этим возобновляемых источников энергии.