<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">kaz29</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Вестник Казахстанско-Британского технического университета</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Herald of the Kazakh-British Technical University</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1998-6688</issn><issn pub-type="epub">2959-8109</issn><publisher><publisher-name>Казахстанско-Британский Технический Университет</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">kaz29-151</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ХИМИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ НАУКИ И ЭКОЛОГИЯ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>CHEMICAL, TECHNOLOGICAL AND ENVIRONMENTAL SCIENCES</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ТРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ ФОЛЬГИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПЛАЗМЫ С ЦЕЛЬЮ ПОЛУЧЕНИЯ МЕМБРАНЫ НАНОПОРИСТОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>ETCHING THE SURFACE OF ALUMINUM FOIL USING HIGH-FREQUENCY PLASMA TO PRODUCE A NANOPOROUS ALUMINUM OXIDE MEMBRANE</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Әмірбекова</surname><given-names>Г. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Amirbekova</surname><given-names>G.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>докторант</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Алпысбаева</surname><given-names>Б. Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Alpysbaeva</surname><given-names>B.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>ст. преподаватель</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ерланұлы</surname><given-names>Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Erlanuly</surname><given-names>Y.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>докторант</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Габдуллин</surname><given-names>М. Т.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gabdullin</surname><given-names>M.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>PhD, к.ф.-м.н., профессор, проректор по науке и инновациям</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Смирнов</surname><given-names>В. Ю.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Smirnov</surname><given-names>V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>PhD, НС</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru">Казахский Национальный университет им. аль-Фараби<country>Казахстан</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru">АО "КБТУ"<country>Казахстан</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff xml:lang="ru">Исследовательский центр Юлих<country>Германия</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2020</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>07</day><month>11</month><year>2021</year></pub-date><volume>17</volume><issue>2</issue><fpage>82</fpage><lpage>86</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Әмірбекова Г.С., Алпысбаева Б.Е., Ерланұлы Е., Габдуллин М.Т., Смирнов В.Ю., 2021</copyright-statement><copyright-year>2021</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Әмірбекова Г.С., Алпысбаева Б.Е., Ерланұлы Е., Габдуллин М.Т., Смирнов В.Ю.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Amirbekova G., Alpysbaeva B., Erlanuly Y., Gabdullin M., Smirnov V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://vestnik.kbtu.edu.kz/jour/article/view/151">https://vestnik.kbtu.edu.kz/jour/article/view/151</self-uri><abstract><p>Эта работа основана на обработке поверхности алюминиевой фольги с чистотой 99,999% в высокочастотном разряде плазмой с применением установленных параметров, формировании упорядоченной мембраны нанопористого оксида алюминия с помощью процесса электрохимического анодирования на поверхности этой обработанной алюминиевой фольги и определение того, насколько результаты, полученные при исследовании, зависят от параметров эксперимента. В качестве основного параметра использовалась величина мощности высокочастотного разряда. Поверхность чистой алюминиевой фольги в одинаковой 50-микронной толщины обработана тремя различными величинами мощности. В ходе исследования было отмечено, что поверхностные шероховатости зависят от различных величин мощности 20 Вт, 50 Вт и 70 Вт. В соответствии с первой частью эксперимента поверхность чистой алюминиевой фольги обрабатывается плазмой в высокочастотном разряде, в результате которых были выявлены изменения в ходе исследований. В результате исследования установлено, что при плазменной обработке поверхности алюминиевой фольги образуются треки, которые были установлены с помощью сканирующего электронного микроскопа и определены их особенности. Установлено, что эти изменения зависят от величины количества мощности высокочастотного разряда при плазменной обработке. Поверхность алюминиевой фольги, обработанной плазмой, и мембраны нанопористого оксида алюминия, сформированные после электрохимического анодирования, были исследованы с помощью сканирующего электронного микроскопа. Стало известно, что величина мощности влияет на расположение треков и как плотно или удаленно образованы пористые структуры, сформированные после процесса электрохимического анодирования. В целом эта работа основана на обработке поверхности алюминиевой фольги с использованием высокочастотной плазмы с целью получения мембраны оксида алюминия.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>This work is based on processing the surface of aluminum foil with a purity of 99.999% in a high-frequency plasma discharge using the established parameters, forming an ordered membrane of nanoporous aluminum oxide using an electrochemical anodizing process on the surface of this treated aluminum foil, and determining how much the results obtained in the study depend on the parameters of the experiment. As the main parameter, the value of the power of the high-frequency discharge was used. The surface of pure aluminum foil in the same 50 micron thickness is treated with three different power values. In the course of the study, it was noted that surface roughness depends on different power values of 20 W, 50 W and 70 W. In accordance with the first part of the experiment, the surface of pure aluminum foil is treated with plasma in a high-frequency discharge, as a result of which changes were detected during the research. As a result of the study, it was found that the plasma treatment of the surface of aluminum foil formed tracks that were installed using a scanning electron microscope and determined their features. It was found that these changes depend on the amount of power of the high-frequency discharge during plasma processing. The surface of aluminum foil treated with plasma and nanoporous aluminum oxide membranes formed after electrochemical anodizing were studied using a scanning electron microscope, and it became known that the power value affects the location of tracks and how densely or remotely the porous structures formed after the electrochemical anodizing process are formed. In General, this work is based on processing the surface of aluminum foil using high-frequency plasma to produce an aluminum oxide membrane.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>мембрана</kwd><kwd>алюминиевая фольга</kwd><kwd>плазма</kwd><kwd>высокочастотный разряд</kwd><kwd>электрохимическое анодирование</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>membrane</kwd><kwd>aluminum foil</kwd><kwd>plasma</kwd><kwd>high-frequency discharge</kwd><kwd>electrochemical anodizing</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Keller F., Hunter H., Robinson D.//J. Electrochem. Soc.1953.V. 100. № 9. P. 411.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Keller F., Hunter H., Robinson D.//J. Electrochem. Soc.1953.V. 100. № 9. P. 411.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Hunter M.S., Fowle H. // J. Electrochem. Soc. 1954.V. 101. № 9. P. 481.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Hunter M.S., Fowle H. // J. Electrochem. Soc. 1954.V. 101. № 9. P. 481.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Томашов Н. Д., Заливалов Ф.П. Сб. Коррозия металлов и сплавов – М.: Металлургиздат, 1963. – С. 194.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Томашов Н. Д., Заливалов Ф.П. Сб. Коррозия металлов и сплавов – М.: Металлургиздат, 1963. – С. 194.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Томашов Н.Д., Заливалов Ф.П. Сб. Коррозия металлов и сплавов. – М.: Металлургиздат, 1963. – С. 194.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Томашов Н.Д., Заливалов Ф.П. Сб. Коррозия металлов и сплавов. – М.: Металлургиздат, 1963. – С. 194.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кауль А.Р. Химические методы синтеза неорганических веществ и материалов. Ч.2. М.: Московский государственный университет им. Ломоносова М.В., – 2008. – 212 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Кауль А.Р. Химические методы синтеза неорганических веществ и материалов. Ч.2. М.: Московский государственный университет им. Ломоносова М.В., – 2008. – 212 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Oehrlein G.S., Metzler D., C. Li, Atomic layer etching at the tipping point: an overview, ECS J. Solid State SC 4 (2015) N5042–N5053.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Oehrlein G.S., Metzler D., C. Li, Atomic layer etching at the tipping point: an overview, ECS J. Solid State SC 4 (2015) N5042–N5053.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Doering R., Nishi Y., Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, CRC Press, New York, 2008, p. 21.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Doering R., Nishi Y., Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, CRC Press, New York, 2008, p. 21.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. – М.: Физматлит, 2007. – 416 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. – М.: Физматлит, 2007. – 416 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Technology of Integrated Circuits, 2000 “5. Etching Technology” pages 169-206</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Technology of Integrated Circuits, 2000 “5. Etching Technology” pages 169-206</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Батаронов И.Л., Гусев А.П., Литвинов Ю.В., Харченко Е.Л., Шалимов Ю.Н. // Альтернативная энергетика и экология. – 2007. – № 11. – С. 118-126.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Батаронов И.Л., Гусев А.П., Литвинов Ю.В., Харченко Е.Л., Шалимов Ю.Н. // Альтернативная энергетика и экология. – 2007. – № 11. – С. 118-126.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сурганов В. Ф. // Защита металлов. – 1991. – Т. 27. – № 1. – С. 125-126.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Сурганов В. Ф. // Защита металлов. – 1991. – Т. 27. – № 1. – С. 125-126.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kim D.M., Kim K.B., Yoon S.Y., Oh Y.S., Kim H.T., Lee S.M., Effects of artificial pores and purity on the erosion behaviors of polycrystalline Al2O3 ceramics under fluorine plasma, J. Ceram. Soc. Jpn. 117 (2009) 863–867.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kim D.M., Kim K.B., Yoon S.Y., Oh Y.S., Kim H.T., Lee S.M., Effects of artificial pores and purity on the erosion behaviors of polycrystalline Al2O3 ceramics under fluorine plasma, J. Ceram. Soc. Jpn. 117 (2009) 863–867.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Mardilovich P. P., Govyadinov A. N., Mukhurov N. I., Rzhevskii A. M., Paterson R. // J. Membrane Sci. 1995. V. 98. P. 131—142.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Mardilovich P. P., Govyadinov A. N., Mukhurov N. I., Rzhevskii A. M., Paterson R. // J. Membrane Sci. 1995. V. 98. P. 131—142.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Bahats’kyy V.O., Vojtovych I.D., Lebyedyeva T. S., Minov Yu. D., Sutkovyy P. H., Frolov Yu. O., Shpyl’ovyy P. B., Ukraine Patent 100934 Bulletin, No. 3: (2013) (in Ukrainian).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bahats’kyy V.O., Vojtovych I.D., Lebyedyeva T. S., Minov Yu. D., Sutkovyy P. H., Frolov Yu. O., Shpyl’ovyy P. B., Ukraine Patent 100934 Bulletin, No. 3: (2013) (in Ukrainian).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Степанова А.Ю., Запороцкова И.В., Белов А.Н.// Нанопористые материалы на основе оксида алюминия: механизм образования и технология получения// Вестник ВолГУ. Серия 10. – Вып. 5. – 2011.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Степанова А.Ю., Запороцкова И.В., Белов А.Н.// Нанопористые материалы на основе оксида алюминия: механизм образования и технология получения// Вестник ВолГУ. Серия 10. – Вып. 5. – 2011.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
